InGaN相关论文
通过氢有效质量理论（HEMT）对In0.65Ga0.35N（高In组分,Eg=1.31eV）太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能......
为了进一步提升蓝光激光器的性能，基于实验样品结构，详细研究了不同结构的p型波导层和有源区的组合对InGaN基边发射蓝光激光器性能的......
通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱（MQWs）发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表......
伴随着5G时代的全面来临和照明显示需求的全方位提升,以氮化物、碳化硅为代表的第三代半导体材料迎来了全盛时代。氮化物半导体材......
传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命，研究不同发光......
根据现有的材料参数，计算了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密......
为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率,采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源......
设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出......
以GaAs、GaN和InGaN为主的III-V族半导体材料因其具有较大的禁带宽度、较高的电子迁移率和饱和电子漂移速率,被广泛应用于光电器件......
氮化铟(InN)及其三元合金铟镓氮(InGaN)是性能优良的半导体材料,具有广阔的应用前景。通过调节InGa N组分中In和Ga的比例,可以实现......
随着时代的进步,社会的发展也在稳步前进,良好的社会环境给人们了带来了便捷舒适的生活环境。现代繁华的生活是建立在各种各样的能......
研究了背照式InGaN p-i-n结构的紫外探测器的制备与数值模拟。通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长p-GaN/i-InGaN/n-GaN......
InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)太阳能电池是一种新型的太阳能电池。通过改变In组分,InGaN的禁带宽度可以实现从0.7eV到3.4eV的......
我们已开发出了大功率长寿命且可广泛地应用于日常照明领域的白光LED模块。由于其封装材料在高温环境下坚固耐用,使得LED在结温(Tj......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对使用 MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型 In Ga N样品进行了光致发光 (PL)、霍耳 (Hall)及扫描电镜 (SEM)测量 .结果表明 :适当......
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上.在MOC......
利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,......
GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ-Ⅴ族半导体研究的热点.由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件......
利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一......
理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系.结果来自于LED等效电路模......
采用常压金属有机化学汽相沉积 (MOCVD)技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术、光透射谱......
期刊
采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法......
1纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法公开（公告）号：CN102610715A摘要：一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括......
采用MOCVD方法在GaN/α-Al2O3(0001)衬底上生长获得了InGaN合金薄膜.X射线衍射(XRD)谱仅观察到InGaN(0002)和GaN(0002)的衍射峰,表......
期刊
分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质.发现在4.7K至300K范围内，随着温度......
采用 MOCVD技术以 Al2 O3为衬底在 Ga N膜上生长了 In Ga N薄膜 .以卢瑟福背散射 /沟道 (RBS/Channeling)技术和光致发光 (PL )技......
以Al2 O3 为衬底 ,采用金属有机汽相沉积 (MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1 -xN薄膜。以卢瑟福背散射 沟道技术和光致发光技术对......
采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石 (0 0 0 1)面 (即C面 )和蓝宝石 (110 2 )面 (即R面 )上形成了InGaN量子点 ,并构成了该量子......
为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微......
采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0·1Ga0·9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果......
用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In1-xGa1-xN(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性.实验表明InGaN发光主要来自......
韩国Kwangju理工学院光电子材料中心和材料科学工程系利用相分离InGaN有源层,无需添加荧光材料,制造出了白光发光二极管.这种二极......
本论文首先阐述了InGaN／GaN异质结的形成及XRD实验表征，然后基于三角形势阱模型，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对InGaN／GaN异质结......
在有效质量近似下,用变分法研究了受限于闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态.数值结果显示了量子点的结构参数和铟含量对闪锌矿InGaN......
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一种特定发光波长（415—425nm）的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率......
一种特定发光波长（415—425nm）的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察，包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率......
通过器件模拟对n—In1-xGaxN／p—Si异质结的光伏特性进行了研究，并与c—si同质结薄膜电池的性能作了比较。研究表明：在AM1．5的光照条件......
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利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1......
通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN......
各国在超高亮度蓝、白光LED上的竞争近年来,在商业上以氮化镓CaN半导体晶体为材料的高亮度蓝色、白色光源LED的竞争已开始呈现白热......
通过对InxGal～xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1一xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间......
基于有效质量近似,运用变分方法计算了闪锌矿InGaN/GaN量子点中的激子结合能和带间发光波长.数值计算结果显示出当柱形InGaN/GaN量......
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